Der Wirkmechanismus des Verbundzentrums
Die Rekombination durch das Rekombinationszentrum ist ein indirekter Rekombinationsprozess. Dieser Rekombinationsprozess ist der grundlegende Prozess, der die Lebensdauer von Minderheitsträgern in indirekten Energiebandstrukturhalbleitern wie Si und Ge bestimmt. Die Verunreinigungen im Rekombinationszentrum sind oft Metallelemente mit kleinem Atomradius, die leicht in den Halbleiter eindringen können; Um zu gewährleisten, dass die Träger von Minderheiten eine lange Lebensdauer haben, sollte daher der Sauberkeit bei der Herstellung des Geräts besondere Aufmerksamkeit geschenkt werden. Um sicherzustellen, dass die Verunreinigungen im Compound-Zentrum keine Verschmutzung verursachen.